삼성 2분기 D램 세계1위 수성… “기술 선점에 투자”

입력2022.10.17. 오전 3:03

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곽도영 기자

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2분기 연속 점유율 올라 43.4%… 메모리 불황속 낸드서도 1위 지켜
2위 SK하이닉스도 동반 상승
“중장기 로드맵 정비 ‘초격차 유지’… 파운드리에선 TSMC 추격 전력”

글로벌 메모리반도체 시장 침체가 지속되는 가운데 삼성전자가 올해 2분기(4∼6월) D램과 낸드플래시 시장에서도 1위를 수성했다. 특히 D램 시장에서는 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 기업 점유율이 상승했다. 삼성전자는 메모리 불황기와 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 고전 속에서 중장기 로드맵을 정비하며 첨단 기술 선점에 투자한다는 계획이다.

16일 시장조사기관 옴디아에 따르면 삼성전자의 올해 2분기 글로벌 D램 시장 점유율은 43.4%로 세계 1위를 지켰다. 삼성전자의 D램 시장 점유율은 지난해 4분기(10∼12월) 41.9%에서 올해 1분기(1∼3월) 42.7%, 2분기 43.4%로 2개 분기 연속 상승세를 그렸다. 2위 SK하이닉스의 2분기 점유율도 28.1%로 1분기(27.1%)보다 1%포인트 상승했다. 3위 마이크론의 시장 점유율은 23.6%로 1분기(24.8%)보다 1.2%포인트 하락했다.

낸드 시장에서도 삼성전자는 1위를 지켰다. 다만 점유율은 1분기(35.5%)보다 2.2%포인트 하락한 33.3%로 집계됐다. SK하이닉스는 지난해 말 인텔 낸드 사업부를 인수해 신설한 자회사 솔리다임을 포함해 점유율 20.4%로 2위를 기록했다. 이어서 일본 키옥시아(16.0%)가 3위, 미국 웨스턴디지털과 마이크론(13.0%)이 공동 4위에 올랐다.

하반기(7∼12월) 들어서도 D램과 낸드플래시 가격 하락세가 이어지는 등 메모리 불황이 지속되고 있지만 삼성전자는 메모리반도체 초격차 유지를 위한 첨단 기술 개발에 박차를 가한다는 전략이다.

삼성전자는 이달 5일(현지 시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 테크 데이’에서 내년 업계 최초로 5세대 10나노미터(nm·1nm는 10억분의 1m) D램을 양산할 계획이라고 발표했다. 낸드 분야에서도 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다는 중장기 목표를 밝혔다. 최근 SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사가 올해 200단 이상 V낸드 기술을 공개한 데 대해 맞대응한 것이다.

파운드리 시장에선 대만 TSMC를 추격하는 데 전력을 다하고 있다. 메모리 타격으로 3분기(7∼9월) 반도체 실적 1위를 TSMC에 뺏기는 등 고전하고 있지만 파운드리 점유율 격차를 좁히며 기술 경쟁을 이어가는 중이다.

대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 글로벌 파운드리 시장에서 TSMC의 시장 점유율은 53.4%로 1분기보다 0.2%포인트 하락했다. 반면 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 1분기 16.3%에서 2분기 16.5%로 0.2%포인트 상승했다. 이에 따라 양 사의 시장 점유율 격차는 37.3%포인트에서 36.9%포인트로 줄었다.

삼성전자 평택캠퍼스 전경삼성전자는 이달 3일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’에서 2027년 1.4나노 공정을 도입한다는 로드맵을 반도체 업계 처음으로 공개했다. 2027년까지 최첨단 공정 생산 능력을 올해 대비 3배 이상 확대하겠다는 목표도 내놨다. 침체기에도 불구하고 최근까지 투자 축소 계획은 밝히지 않았다.

고영민 신한투자증권 책임연구원은 “지난해 원자재 부족으로 인한 인프라 투자 지연을 경험한 생산업체들은 선제적인 인프라 투자에 대한 중요성을 인지했다”며 “내년에도 삼성전자는 다수 인프라 투자 프로젝트를 진행할 것으로 예상된다”고 전망했다.

곽도영 기자 now@donga.com